반도체 공정 개요

부울경 현장에서 왜 반도체 공정을 배우나

부울경에 대형 반도체 일관 공장(팹)이 있지는 않아요. 그런데 창원·김해의 정밀가공 업체가 반도체 장비 부품을 깎고, 울산 화학단지에서는 공정용 화학·가스를 다루는 곳이 있습니다. 자동차 전장부품(ECU·센서)과 의료기기 조립 라인은 이미 클린룸에서 돌아가고요.

즉 팹에 들어가지 않더라도 반도체 공정 언어를 아는 사람이 필요합니다. 고객사가 "이 부품 파티클 스펙이 어떻게 되냐", "챔버 내부 조도(粗度) 요구가 있다"고 물었을 때 무슨 뜻인지 알아야 견적도 나가고 감사도 통과해요.

웨이퍼 한 장이 칩이 되기까지

큰 그림은 딱 두 덩어리입니다.

[전공정 — Fab]                        [후공정 — Assembly & Test]
웨이퍼 위에 회로를 만든다      →      칩으로 잘라 포장하고 검사한다
클린룸, 수백 단계, 2~3개월              다이싱·본딩·몰딩·테스트

8대 공정 한눈에

가장 중요한 사실 — 3~7번은 반복됩니다

신입이 가장 많이 하는 오해가 "8단계를 한 번씩 순서대로 지나간다"는 거예요. 실제로는 한 층(layer)을 만들 때마다 포토 → 식각 → 증착 → (필요하면 이온주입)이 한 세트로 돌고, 이 세트가 수십 번 반복됩니다. 최신 로직 칩은 금속배선만 10층이 넘어요.

그래서 웨이퍼 한 장이 팹에 들어가서 나오기까지 두 달 이상 걸립니다. 중간에 한 단계만 잘못돼도 그동안 들어간 모든 비용이 날아가요. 이게 반도체 현장이 유난히 절차에 엄격한 이유입니다.

포토리소그래피가 왜 핵심인가

8대 공정 중 하나만 꼽으라면 포토입니다. 이유는 단순해요.

• 선폭(회로 굵기)을 결정하는 유일한 공정. 식각·증착은 포토가 그려놓은 패턴을 따라갈 뿐이에요.
• 층 수만큼 반복되므로 웨이퍼 가공 비용과 소요 시간에서 차지하는 비중이 가장 큽니다. (단계 '개수' 자체는 증착·식각·세정이 훨씬 많지만, 비용과 사이클타임의 병목은 포토입니다.)
• 노광 장비는 팹에서 가장 비싼 설비입니다. 그래서 포토 장비가 서면 라인 전체 가동률이 떨어져요.

해상력을 결정하는 식

얼마나 가는 선을 그릴 수 있는지는 레일리(Rayleigh) 식으로 정리됩니다.

해상력 R = k1 × λ / NA

  λ  = 빛의 파장 (짧을수록 유리)
  NA = 렌즈의 개구수 (클수록 유리)
  k1 = 공정 계수 (기술력으로 낮춤, 이론 하한 0.25)

[ArF 이머전]  λ=193nm, NA=1.35, k1=0.3
   R = 0.3 × 193 / 1.35 = 42.9nm

[EUV]         λ=13.5nm, NA=0.33, k1=0.3
   R = 0.3 × 13.5 / 0.33 = 12.3nm

파장을 줄이는 것이 가장 확실한 방법이라, 노광 광원은 계속 짧아져 왔습니다.

노광 장비는 "스테퍼"에서 "스캐너"로

웨이퍼 전체를 한 번에 찍지 않아요. 샷(shot) 단위로 조금씩 옮겨가며 반복 노광합니다. 초기에는 멈춰서 찍고 이동하는 스테퍼(Stepper)를, 지금은 마스크와 웨이퍼를 반대 방향으로 동시에 움직이며 훑는 스캐너(Scanner) 를 씁니다.

선폭 숫자에 대한 오해

"5nm 공정"의 5nm는 실제로 측정되는 물리적 치수가 아니라 세대를 가리키는 이름입니다. 도면의 치수처럼 자로 재서 나오는 값이 아니에요. 실무에서 관리하는 건 CD(Critical Dimension, 임계치수) 라는 실측값입니다.

> 한계를 넘기 위해 한 층을 두 번·네 번 나눠 그리는 멀티 패터닝을 씁니다. 공정 수가 늘어나는 만큼 비용과 불량 기회도 늘어나요. "미세화가 곧 원가 절감"이 아닌 이유입니다.

포토 공정 내부 순서

오버레이는 선폭보다 더 빡빡하게 관리합니다. 아무리 선을 가늘게 그려도 아래층과 어긋나면 회로가 안 이어져요.

식각·증착·이온주입 비교

습식 식각에는 불산(HF) 계열 약액이 쓰입니다. 산화막을 녹이는 데 아주 효과적인 만큼, 사람에게도 대단히 위험해요.

> 불산은 피부에 묻어도 당장은 아프지 않을 수 있습니다. 몇 시간 뒤 극심한 통증과 함께 뼈까지 손상되고, 넓은 면적에 닿으면 저칼슘혈증으로 사망할 수 있어요. "따끔하지 않으니 괜찮다"가 가장 위험한 판단입니다. 자세한 대응은 클린룸 규칙 단원에서 다룹니다.

신입이 흔히 하는 착각 3가지

첫 주 체크리스트

• 우리 라인이 전공정인지 후공정인지
• 내가 맡을 공정이 8대 공정 중 몇 번인지, 앞뒤 공정은 무엇인지
• 우리 공정에서 쓰는 화학물질·가스 목록과 MSDS 위치
• 우리 라인의 관리 대상 파라미터(막두께·CD·도즈 중 무엇인지)
• 로트(Lot)와 웨이퍼 ID를 읽는 법, 이력 조회하는 시스템

신입이 가장 먼저 배우는 것이 클린룸 규칙인 이유

기술을 배우기 전에 들어가는 법부터 배웁니다. 규칙을 모르는 사람이 한 번 들어갔다 나오면, 그날 그 구역에서 돌던 웨이퍼 전량이 위험해지기 때문이에요.

크기 감각부터 잡아봅시다.

눈에 보이는 이물은 이미 재앙 수준이라는 뜻입니다. 현장에서는 회로 선폭의 1/3~1/2보다 큰 입자를 배선을 끊거나 단락시키는 치명 결함(킬러 디펙트)으로 봅니다.

그리고 클린룸은 반도체 전용이 아니에요. 부울경에서도 자동차 전장부품(ECU·센서), 의료기기, 정밀 광학 조립 라인이 클린룸을 씁니다. 여기서 배우는 규칙은 그 현장들에 그대로 적용됩니다.

ISO 14644 청정도 등급

국제 표준은 ISO 14644-1이고, 1m³의 공기 안에 특정 크기 이상 입자가 몇 개까지 허용되는가로 등급을 매깁니다. 숫자가 작을수록 깨끗해요.

※ 위 값은 현행 ISO 14644-1:2015 기준입니다. ISO 1~2의 0.5μm 항목은 통계적 유효성 문제로 2015년 개정 때 삭제되었습니다. 예전 자료(1999년판)에서 ISO 2를 '0.5μm 4개'로 표기한 표를 보더라도 현행 기준이 아니라는 점을 알아두세요.

> 단위 함정: 예전 미연방규격의 "Class 100"은 1ft³당 0.5μm 이상 100개이고, ISO는 1m³ 기준입니다. 숫자를 그대로 비교하면 안 돼요. Class 100 ≒ ISO 5, Class 1,000 ≒ ISO 6으로 외워두면 됩니다.

또 하나. 등급은 "어떤 점유 상태에서 측정했는가"에 따라 다릅니다. 장비도 사람도 없이 시설만 완공된 상태(As-built), 장비는 설치·가동되지만 작업자는 없는 상태(At-rest), 작업자가 실제로 일하는 상태(Operational)의 세 조건이 있습니다. 어느 상태로 판정할지는 발주자와 합의해 정하며, 반도체 팹은 보통 At-rest로 등급을 인증하고 Operational 상태는 상시 파티클 모니터링으로 따로 관리합니다. 그래서 "우리 라인은 ISO 5"라는 말을 들으면 어느 상태 기준인지를 같이 확인해야 해요.

클린룸이 깨끗한 원리

그래서 제품 위쪽을 몸이나 물건으로 가리면 안 됩니다. 층류가 막히면 내가 만든 입자가 바로 아래 웨이퍼로 떨어져요.

가장 큰 오염원은 사람입니다

클린룸에서 나오는 입자의 대부분은 장비가 아니라 사람에게서 나옵니다.

• 떨어져 나가는 피부 각질
• 머리카락, 눈썹, 수염
• 말할 때 나오는 침방울
• 화장품 분말, 향수, 헤어제품
• 일반 의류의 섬유 부스러기

그리고 발진량은 정지 < 팔 움직임 < 천천히 걷기 < 빠르게 걷기 < 뛰기 순으로 급격히 늘어납니다. 클린룸에서 뛰지 말라는 규칙이 예의 문제가 아니라 품질 문제인 이유예요.

> 방진복은 나를 보호하는 옷이 아니라 제품을 나로부터 보호하는 옷입니다. 화학물질로부터 나를 지키는 건 방진복이 아니라 별도의 내화학 보호구예요. 이 둘을 혼동하면 위험합니다.

입실 절차

준비 단계 (탈의실 전)

• 화장·파운데이션·마스카라 제거, 향수·헤어스프레이 사용 안 함
• 손톱은 짧게, 매니큐어 제거
• 반지·시계·귀걸이·목걸이 전부 사물함에
• 감기·기침 증상이 있으면 입실 전에 보고 (재채기 한 번이 수천만 개의 입자)

갱의 단계

1. 사복과 개인 물품을 사물함에 보관. 휴대폰은 회사 규정에 따라 반입 여부 확인
2. 클린룸 전용 실내화로 교체. 오염구역과 청정구역을 나누는 벤치 선을 넘을 때, 신발을 바꿔 신고 넘어갑니다. 한 발씩 넘기는 순서를 지키세요
3. 손 세정 후 완전 건조. 물기가 남으면 장갑 안에서 습기가 차요
4. 착용 순서 — 위에서 아래로, 오염이 적은 것부터

헤어캡(내피 두건)
  ↓
마스크
  ↓
후드(머리·목·어깨를 덮는 두건)
  ↓
방진복(상하 일체형) — 후드 자락을 안으로 넣어 덮기
  ↓
방진화 / 부츠
  ↓
이너 글러브
  ↓
아우터 글러브 — 소매를 손목 위로 확실히 덮기
  ↓
고글 / 보안경

1. 전신 거울 확인 — 머리카락이 삐져나왔는지, 목·손목에 피부가 노출됐는지
2. 점착 매트를 밟아 신발 바닥 이물 제거
3. 에어샤워 — 양팔을 벌리고 천천히 한 바퀴 돌면서 전신에 바람을 맞습니다. 시간이 끝나기 전에 문을 열지 마세요
4. 입실

> 신입이 가장 많이 틀리는 지점은 에어샤워를 빨리 나가려고 하는 것과 아우터 글러브로 소매를 안 덮는 것입니다. 손목 틈은 발진이 가장 심한 부위예요.

반입 금지 물품

클린룸 안에서의 행동 수칙

• 천천히 움직입니다. 뛰지 않고, 팔을 크게 젓지 않아요
• 웨이퍼나 캐리어(FOUP) 위로 몸을 기울이거나 그 위에서 말하지 않습니다. 침방울이 바로 떨어져요
• 제품 위쪽에 손·팔·물건을 두어 층류를 막지 않습니다
• 기침·재채기가 나올 것 같으면 몸을 돌리고, 반복되면 밖으로 나갑니다
• 장갑 낀 손으로 얼굴·머리·방진복을 만지지 않습니다. 찢어지거나 오염되면 즉시 교체
• 바닥에 떨어진 것은 임의로 줍지 말고 절차와 지시에 따릅니다
• 문을 두 개 동시에 열지 않습니다 (인터록·양압이 깨짐)
• 알람은 절대 무시하지 않습니다. 특히 가스 감지 알람은 확인하러 가는 게 아니라 즉시 대피입니다

클린룸은 "안전한 곳"이 아닙니다

깨끗해 보이는 것과 안전한 것은 완전히 다릅니다. 클린룸에서 다루는 물질을 보세요.

> 불산 대응은 반드시 외우세요. 피부에 닿아도 즉각적인 통증이 없을 수 있습니다. 불소 이온이 피부를 뚫고 들어가 체내 칼슘과 결합하면서 몇 시간 뒤 심한 통증과 조직·뼈 손상을 일으키고, 넓은 면적이면 저칼슘혈증으로 심정지에 이를 수 있어요. > ① 오염된 장갑·의복을 즉시 벗기면서 동시에 대량의 물로 15분 이상 세척 → ② 2.5% 글루콘산칼슘 겔을 보호장갑 낀 손으로 마사지하듯 도포(통증이 가라앉아도 계속) → ③ 통증 유무와 관계없이 즉시 병원 이송하고, 의료진에게 반드시 "불화수소(HF) 노출"임과 농도·접촉 부위·시간을 알릴 것 → ④ 보고. > "안 아프니까 나중에 말하죠"가 사망 사고로 이어집니다.

화학물질을 다루는 구역에서는 방진복 위에 내화학 앞치마·장갑·안면보호구를 추가로 착용해야 하고, 세척 설비(비상 샤워·세안기) 위치를 입사 첫날 확인해야 합니다.

외국인 근로자가 함께 일하는 라인이라면

부울경 조립·후공정 라인에는 외국인 근로자 비중이 높습니다. 클린룸 규칙과 화학물질 경고는 말이 안 통하면 그대로 사고가 돼요.

• 입실 절차·금지 물품은 그림·픽토그램으로 게시
• 가스 알람과 대피 방향은 소리와 색, 손동작 신호로 약속을 정해둘 것
• MSDS와 비상 대응 절차는 해당 언어 버전을 비치
• "알았어요"라는 대답만으로 이해했다고 판단하지 말고, 동작으로 재연시켜 확인

입실 전 최종 체크리스트

• 화장·향수·액세서리 제거했다
• 방진복 착용 순서를 지키고 거울로 노출 부위를 확인했다
• 아우터 글러브가 소매를 덮고 있다
• 에어샤워를 끝까지 받았다
• 반입 금지 물품이 주머니에 없다
• 비상 샤워·세안기, 대피구, 가스 알람 위치를 안다

수율은 품질 지표가 아니라 손익 그 자체입니다

웨이퍼 한 장에 두 달치 공정비가 쌓여 있습니다. 그래서 반도체에서 수율 1%p는 다른 업종의 불량률 1%와 무게가 다릅니다. 협력사 구조에서는 더 직접적이에요. 원청이 수율 목표를 계약 조건으로 걸거나, 손실분을 정산에 반영하는 경우가 있습니다.

관리자가 되면 "수율이 떨어졌다"는 보고를 받았을 때 어느 수율이, 어떤 패턴으로 떨어졌는지를 먼저 물어야 합니다.

수율을 나눠서 봅니다

계산해봅시다

[1] 웨이퍼 한 장에서 나오는 총 다이 수 (근사식)

    DPW ≈ π×(D/2)² / S  −  π×D / √(2S)
      D = 웨이퍼 지름(cm), S = 다이 면적(cm²)

    300mm 웨이퍼, 다이 면적 1.0cm²
      π × 15² / 1.0      = 706.9
      π × 30 / √(2×1.0)  =  66.6
      DPW ≈ 706.9 − 66.6 ≈ 640개
      (뒤의 항은 원판 가장자리에서 버려지는 몫)

[2] 다이 수율 — Poisson 모델

    Y = e^(−D0 × A)
      D0 = 결함밀도(개/cm²), A = 다이 면적(cm²)

    D0 = 0.1 , A = 1.0cm²  →  Y = e^(−0.1) = 0.905  (90.5%)
    D0 = 0.1 , A = 4.0cm²  →  Y = e^(−0.4) = 0.670  (67.0%)

[3] 양품 다이 수

    640 × 0.905 ≈ 579개

[4] 종합 수율

    라인 98% × 다이 90.5% × 조립 99% × FT 97%
      = 0.98 × 0.905 × 0.99 × 0.97
      ≈ 0.852  (85.2%)

[2]에서 읽어야 할 것: 결함밀도가 똑같아도 다이 면적이 4배가 되면 수율은 90.5%에서 67%로 무너집니다. 큰 칩이 비싼 이유가 단가가 아니라 수율이에요. 설계 단계에서 다이 사이즈를 줄이자는 요구가 나오는 배경입니다.

실무에서는 결함이 웨이퍼 전면에 균일하지 않다는 점을 반영해 Murphy 모델을 더 자주 씁니다.

Y = ( (1 − e^(−D0×A)) / (D0×A) )²

  D0×A = 0.4 인 경우
    (1 − 0.6703) / 0.4 = 0.8242
    0.8242² = 0.679   →  67.9%

Poisson보다 조금 높게 나와요. 어느 모델을 쓰느냐보다, 사내에서 한 가지 기준을 정해 일관되게 쓰는 것이 중요합니다. 모델을 바꿔놓고 "수율이 올랐다"고 보고하면 안 됩니다.

웨이퍼 맵 패턴이 원인을 말해줍니다

> 수율이 떨어졌을 때 로트 번호부터 뒤지지 말고 맵부터 보세요. 산발이면 파티클, 링이면 척·온도, 반복이면 마스크·노광입니다. 패턴이 조사 범위를 10분의 1로 줄여줍니다.

SPC를 반도체에 적용할 때 달라지는 점

기본 원리는 일반 제조와 같지만, 세 가지가 다릅니다.

1. 부분군 설계가 승부를 가릅니다

한 로트 안에도 웨이퍼 간 차이가 있고, 한 웨이퍼 안에도 중심과 가장자리 차이가 있어요. 이 서로 다른 변동원을 한 부분군에 섞어 담으면 관리한계가 넓어져 이상을 잡아내지 못합니다.

• 위치별(센터/미들/에지)로 나눠서 관리도를 별도 운용
• 로트 간 변동은 X-bar 관리도, 웨이퍼 내 변동은 별도 균일도 지표로

2. 장비·챔버별로 층별합니다

같은 공정을 여러 챔버가 나눠 처리하면, 합쳐서 보면 안 됩니다. 챔버 A와 B의 중심이 다르면 데이터가 두 개의 산으로 나뉘는데(이중 산포), 합치면 하나의 넓은 산으로 뭉개져요.

챔버별로 관리도를 그리고, 챔버 간 매칭 상태를 별도로 봅니다.

3. 자동 보정(R2R)이 돌면 관리도가 거짓말을 합니다

이전 로트 측정값으로 다음 레시피를 자동 보정하는 제어가 걸려 있으면, 출력값은 늘 목표 근처에 있어 관리도가 아름다워 보여요. 그런데 그건 보정이 계속 커지고 있다는 뜻일 수 있습니다.

> 자동 보정이 있는 공정에서는 보정량 자체를 모니터링하세요. 보정량이 한 방향으로 계속 커지면 장비가 드리프트 중입니다. 보정 여력이 다하는 순간 한꺼번에 무너져요.

공정능력 판정 예시

막두께 규격 1,000 ± 50 Å   (USL 1,050 / LSL 950)
측정 결과   평균 1,010 Å, 표준편차 12 Å

Cp  = (USL − LSL) / (6σ) = 100 / 72 = 1.39
Cpk = min( (USL − x̄)/3σ , (x̄ − LSL)/3σ )
    = min( 40/36 , 60/36 )
    = min( 1.11 , 1.67 )
    = 1.11        →  기준 1.33 미달

해석: 산포(Cp 1.39)는 충분한데 중심이 +10Å 치우쳤다.
조치: 산포를 줄이는 개선이 아니라 **센터링**.
      목표값으로 맞추면 Cpk ≈ 1.39 로 회복.

Cp는 좋은데 Cpk가 나쁘면 중심 문제, 둘 다 나쁘면 산포 문제. 이 구분을 못 하면 엉뚱한 개선 활동에 몇 달을 씁니다. 핵심 파라미터는 Cpk 1.67 이상을 요구하는 곳도 많아요.

파티클 관리는 수율 관리의 절반입니다

표면 결함 맵과 EDS 불량 맵을 겹쳐서 위치가 일치하면 원인이 그 결함이라는 직접 증거가 됩니다. 이 분석 없이 "파티클 때문인 것 같다"로 보고하면 대책이 나오지 않아요.

판정 기준 — 언제 라인을 세우나

> 초보 관리자가 가장 많이 하는 두 가지 실수입니다. 한 점 튀었다고 라인을 세우는 것, 그리고 7점 연속 상승을 "아직 규격 안이니 괜찮다"고 넘기는 것. 둘 다 틀렸어요. 관리한계는 공정의 목소리, 규격한계는 고객의 요구입니다. 서로 다른 선이고 판단도 달라야 합니다.

보고할 때 반드시 담을 것

• 어느 수율인가 (라인 / 다이 / 조립 / FT)
• 웨이퍼 맵 패턴은 무엇인가
• 언제부터인가 (특정 로트부터인지, 서서히인지)
• 어느 장비·챔버에 몰려 있는가
• 그 시점에 무엇이 바뀌었는가 (PM, 레시피, 자재 로트, 작업자)

두 달을 쌓아놓고 마지막 며칠에 잃습니다

전공정에서 90% 수율로 잘 나온 웨이퍼도, 후공정에서 다이싱 크랙이나 본딩 불량이 나면 그대로 폐기입니다. 게다가 후공정은 노동집약적이고 협력사 위탁 비중이 큰 영역이라, 대형 팹이 없는 부울경에서도 반도체 조립·검사 관련 사업장과 채용 수요가 꾸준히 있는 분야예요.

전공정이 장비가 주인공이라면, 후공정은 사람의 손과 관리 규칙이 주인공입니다.

후공정 흐름

[EDS 완료 웨이퍼]
      ↓
백그라인딩 (두께 축소)
      ↓
다이싱 (개별 칩으로 절단)
      ↓
다이 어태치 (기판·리드프레임에 부착)
      ↓
와이어본딩  또는  플립칩 (전기적 연결)
      ↓
몰딩 (EMC로 봉지)
      ↓
마킹 → 솔더볼 부착 → 싱귤레이션
      ↓
파이널 테스트 · 번인
      ↓
포장 · 출하

단계별 목적과 관리 포인트

와이어본딩 vs 플립칩

금선에서 동선으로 바뀌면서 어려워진 것

원가 때문에 금 와이어를 구리로 바꾸는 흐름이 있었는데, 구리는 관리가 훨씬 까다롭습니다.

• 산화 방지를 위해 포밍가스(질소+수소) 분위기가 필요
• 금보다 단단해서 패드 아래 실리콘이 눌려 깨지는 크레이터링 위험
• 파라미터 여유 폭(프로세스 윈도우)이 좁아 장비·로트별 편차에 민감

> "잘 붙게 하려고" 초음파 출력이나 압력을 임의로 올리는 것이 후공정에서 가장 위험한 습관입니다. 당장은 접합력 시험을 통과하지만, 패드 아래에 눈에 안 보이는 손상이 남아 신뢰성 시험이나 고객 현장에서 터집니다.

본딩 품질 판정 — 숫자보다 파단 위치

파단 위치가 강도 수치보다 중요합니다. 와이어 중간에서 끊어졌으면 접합부가 와이어보다 강하다는 뜻이라 정상이에요. 반면 볼이 패드에서 통째로 떨어졌으면(볼 리프트) 접합 불량이고, 패드와 함께 실리콘이 뜯겨 나왔으면 크레이터링입니다. 강도 수치만 표에 적고 파단 모드를 안 적는 보고서는 판정이 불가능합니다.

몰딩과 팝콘 현상

EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)와 기판은 공기 중 습기를 흡수합니다. 그 상태로 리플로우 고온에 들어가면 내부 수분이 순간적으로 팽창해 패키지가 부풀거나 갈라집니다. 옥수수가 터지는 모습과 닮아서 팝콘 현상이라고 불러요.

• 제품마다 습기 민감도 등급(MSL) 이 지정되고, 개봉 후 허용 시간(플로어 라이프)이 정해져 있습니다
• 방습 포장 + 건조제 + 습도 인디케이터 카드로 관리
• 개봉 시각을 반드시 기록하고, 초과했으면 베이킹 후 사용

> 현장에서 가장 흔한 사고가 "개봉 시각을 안 적은 것" 입니다. 언제 열었는지 모르면 전량 베이킹 대상이 되고, 베이킹 횟수에도 한계가 있어 최악의 경우 폐기예요. 라벨 한 줄 적는 데 3초입니다.

테스트 — EDS와 파이널 테스트

EDS에서 챙길 것

• 프로브 니들 정렬과 클리닝. 니들 마크가 패드 밖으로 벗어나면 뒤이은 본딩이 안 붙습니다. 클리닝 주기를 놓치면 접촉 저항이 올라가 양품을 불량으로 버리는 오버킬이 생겨요
• 리페어(리던던시). 메모리는 여분 셀·라인을 두고 불량 셀을 대체합니다. 같은 불량이라도 리페어로 살릴 수 있는지가 수율을 크게 바꿔요
• 불량 다이 표시는 잉킹에서 전자 맵으로 대체돼 왔습니다. 맵 파일이 후공정으로 정확히 전달되는지가 중요합니다

번인(Burn-in)

초기에 고장 날 제품을 고온·고전압으로 미리 유발해 걸러내는 공정입니다. 고장률 곡선(욕조 곡선)의 앞부분을 잘라내는 거예요. 차량용·산업용처럼 필드 고장 비용이 큰 제품에서 특히 중요합니다.

후공정 화학·안전

깨끗해 보여도 후공정에도 위험은 있습니다. 플럭스와 세정용 유기용제(인화성), 언더필·EMC의 미경화 수지(피부 감작), 몰딩·리플로우 설비의 고온부, 다이싱 절삭수 계통. MSDS 확인과 국소배기, 보호구는 전공정과 동일하게 적용됩니다.

흔한 실수와 그 결과

> 후공정 불량이 무서운 이유는 당장 안 보인다는 것입니다. 전기 검사는 통과했는데 미세 크랙이나 잠재 ESD 손상이 남아 고객 손에서 터져요. 그래서 후공정의 최종 판정 기준은 전기 검사가 아니라 신뢰성 시험(온습도 사이클, 열충격, 고온 동작 시험)입니다.

관리자 체크리스트

• 블레이드·니들·휠의 수명 카운터가 실제로 관리되고 있는가
• 방습 자재의 개봉 시각과 누적 플로어 타임이 기록되는가
• 본딩 파라미터 변경에 승인 절차가 있는가
• 풀 테스트 기록에 파단 모드가 함께 남는가
• EDS 전자 맵이 후공정으로 누락 없이 전달되는가
• 외국인 근로자에게 ESD·MSL·화학물질 규칙이 모국어로 전달됐는가